Электроника өлкәсендә MOSFETлар (металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторлары) бөтен җирдә компонентлар булып барлыкка килделәр, эффективлыгы, күчү тизлеге һәм идарә итүчәнлеге белән танылган. Ләкин, MOSFET-ларга хас характеристика, тән диоды, кире торгызу дип аталган күренеш кертә, бу җайланманың эшенә һәм схема дизайнына тәэсир итә ала. Бу блог посты MOSFET тән диодларында кире торгызу дөньясына керә, аның механизмын, әһәмиятен һәм MOSFET кушымталарының нәтиҗәләрен өйрәнә.
Кире торгызу механизмын ачу
MOSFET сүнгәндә, аның каналы аша агып торган ток кинәт өзелә. Ләкин, MOSFETның структурасы белән формалашкан паразитик тән диоды, каналда сакланган корылма рекомбинацияләнгәндә кире ток үткәрә. Кире торгызу токы (Иррм) дип аталган бу кире ток, вакыт белән әкренләп нульгә кадәр бозыла, кире торгызу чоры (трр) бетүен күрсәтә.
Кире торгызуга тәэсир итүче факторлар
MOSFET тән диодларының кире торгызу характеристикалары берничә фактор тәэсирендә:
MOSFET структурасы: MOSFETның эчке структурасының геометриясе, допинг дәрәҗәләре, материаль үзлекләре Иррм һәм тррны билгеләүдә мөһим роль уйныйлар.
Эш шартлары: Кире торгызу тәртибе шулай ук кулланылган көчәнеш, күчү тизлеге һәм температура кебек эш шартларына тәэсир итә.
Тышкы схема: MOSFET белән тоташтырылган тышкы схема кире торгызу процессына тәэсир итә ала, шул исәптән снуббер схемалары яки индуктив йөкләр.
MOSFET кушымталары өчен кире торгызуның нәтиҗәләре
Кире торгызу MOSFET кушымталарында берничә проблема китерергә мөмкин:
Вольт очкычлары: Кире торгызу вакытында кире токның кинәт төшүе көчәнеш очкычларын барлыкка китерергә мөмкин, алар MOSFET ватылу көчәнешеннән артып, җайланмага зыян китерергә мөмкин.
Энергия югалтулары: Кире торгызу ток энергияне тарата, энергия югалтуына һәм потенциаль җылыту проблемаларына китерә.
Схема тавышы: Кире торгызу процессы схемага тавыш кертә ала, сигнал бөтенлегенә тәэсир итә һәм сизгер схемаларда җитешсезлекләр тудырырга мөмкин.
Кире торгызу эффектларын йомшарту
Кире торгызуның тискәре йогынтысын йомшарту өчен берничә техника кулланырга мөмкин:
Снуббер схемалары: Снуббер схемалары, гадәттә резисторлардан һәм конденсаторлардан торган, көчәнеш очкычларын киметү һәм кире торгызу вакытында энергия югалтуларын киметү өчен MOSFETка тоташырга мөмкин.
Йомшак күчү ысуллары: импульс киңлеге модуляциясе (PWM) яки резонант күчү кебек йомшак күчү техникасы MOSFET күчүен әкренләп контрольдә тота, кире торгызуның авырлыгын киметә.
Түбән Кире торгызу белән MOSFETларны сайлау: Түбән Иррм һәм трр белән MOSFETларны кире торгызуның схема эшенә тәэсирен киметү өчен сайларга мөмкин.
Йомгаклау
MOSFET тән диодларында кире торгызу - җайланманың эшенә һәм схема дизайнына тәэсир итә торган хас характеристика. Механизмны, йогынты ясаучы факторларны һәм кире торгызуның нәтиҗәләрен аңлау, тиешле MOSFETларны сайлау һәм оптималь схема эшләвен һәм ышанычлылыгын тәэмин итү өчен йомшарту техникасын куллану өчен бик мөһим. MOSFETлар электрон системаларда төп роль уйныйлар, кире торгызуны чишү схема дизайны һәм җайланма сайлауда мөһим аспект булып кала.
Пост вакыты: июнь-11-2024