Металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторлары (MOSFET) электроника тармагын революцияләделәр, киң схемаларда таралган компонентларга әйләнделәр. Аларның төп функциясе - электр сигналларын контрольдә тоту һәм көчәйтү булса да, MOSFETлар еш игътибарсыз калган, ләкин бик мөһим элементны саклыйлар: эчке тән диоды. Бу блог посты MOSFET тән диодларының эчтәлегенә керә, аларның югалтуларын киметү һәм гомуми эффективлыкны арттыру стратегияләрен өйрәнә.
MOSFET тән диод югалтуларын аңлау
Тән диоды, MOSFET структурасы эчендәге паразитик тоташу, бер юнәлешле ток агымын күрсәтә, ток дренаждан чыганакка үтәргә мөмкинлек бирә, ләкин киресенчә түгел. Бу кыйммәтле максатларга хезмәт итсә дә, тән диоды электр эффективлыгын киметүче энергия югалтуларын кертә ала.
Uctionткәрү югалтулары: MOSFET эшләгән вакытта тән диоды токны кире якка үткәрә, җылылык һәм тарату көче китерә.
Lгалтуларны күчү: MOSFET күчү вакытында тән диоды кире торгызу чорында ток үткәрә, югалтуларны күчерүгә китерә.
MOSFET тән диод югалтуларын киметү стратегиясе
Дөрес MOSFETларны сайлау: Түбән диодның алга көчәнеше һәм кире торгызу вакыты булган MOSFETларны сайлагыз, югалтуларны киметү өчен.
Драйвер сигналларын оптимизацияләү: күчү диодының күчү вакытын киметү өчен, капка саклагыч сигналларын кулланыгыз, күчү югалтуларын киметегез.
Снуббер схемаларын куллану: Резисторлардан һәм конденсаторлардан торган снуббер схемаларын тормышка ашырыгыз, паразитик индуктивлык кәтүгендә сакланган энергияне тарату һәм көчәнеш очкычларын киметү, күчү югалтуларын йомшарту.
Параллель тән диодлары: Токны бүлешү һәм энергиянең таралышын киметү өчен, аеруча югары ток кушымталарында тышкы диодларны тән диоды белән параллельләштерү турында уйлагыз.
Альтернатив схема дизайны: Кайбер очракларда тән диодының үткәрү юлына булган ихтыяҗны бетерүче альтернатив схема топологияләре югалтуларны киметү өчен каралырга мөмкин.
MOSFET тән диод югалтуларын киметүнең өстенлекләре
Яхшыртылган эффективлык: тән диод югалтуларын киметү гомуми схема эффективлыгын арттыруга китерә, түбән энергия куллануга һәм энергияне сак тотуга.
Atылылык җитештерүне киметү: lossesгалтуларны киметү MOSFET һәм аның тирәсендәге компонентлар эчендә җылылык җитештерүне киметә, җылылык җитештерүчәнлеген яхшырта һәм компонентның гомер озынлыгын озайта.
Арткы ышанычлылык: түбән эш температурасы һәм компонентларга стресс кимү схеманың ышанычлылыгын һәм озын гомерен арттырырга ярдәм итә.
Йомгаклау
MOSFET тән диодлары, еш кына игътибарсыз калса да, схеманың эффективлыгына һәм эшенә зур йогынты ясый ала. Тән диод югалтуларының чыганакларын аңлау һәм йомшарту стратегияләрен тормышка ашыру югары эффектив, ышанычлы электрон системалар проектлау өчен бик мөһим. Бу техниканы кулланып, инженерлар схема эшләрен оптимальләштерә, энергия куллануны киметә һәм электрон конструкцияләренең гомер озынлыгын озайта ала.
Пост вакыты: 07-2024 июнь